為配合客戶定制開發(fā)了一款交錯(cuò)式PFC的模塊。采用了自主研發(fā)的兩顆600V40A的高頻IGBT芯片和兩顆SiC二極管。用零反向恢復(fù)電流600V15A SiC JBS二極管芯片,來最大化IGBT及SiC二極管性能。封裝成DIP26模塊，極大的方便終端客戶的裝配。采用真空焊接工藝降低焊接空洞率，保證高絕緣強(qiáng)度的情況下，提高模塊導(dǎo)熱性。
交錯(cuò)式PFC是一種新興的功率因數(shù)校正PFC技術(shù)，它將傳統(tǒng)的單個(gè)大功率PFC分解為兩個(gè)功率減半的并聯(lián)PFC，這兩個(gè)功率減半的PFC以180°的相位差交替工作。不僅可以減小單個(gè)電感的容量，而且可以降低對功率器件的電性要求，改善熱性能，同時(shí)可以減小電流紋波，進(jìn)而減小升壓電容均方根電流及系統(tǒng)損耗。常規(guī)的交錯(cuò)式PFC由高頻IGBT及FRD二極管組成，但FRD二極管在關(guān)斷時(shí)釋放開通過程中存儲(chǔ)的少數(shù)載流子，形成較大的反向電流，不僅增加了升壓二極管的損耗，而且這些反向電流也會(huì)通過高頻IGBT，造成高頻IGBT更大的開通損耗，惡化了高頻IGBT的性能。同時(shí)產(chǎn)生很高的di/dt，形成嚴(yán)重的電磁干擾。SiC的JBS二極管以多數(shù)載流子電子作為電流的媒介，不同于以少數(shù)載流子傳輸電流的FRD二極管，它的反向恢復(fù)電流幾乎是0，可以降低高頻IGBT及升壓二極管的開關(guān)損耗，減小器件的電壓及電流應(yīng)力，改善電磁干擾。
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