1、三極管和MOS管的基本特性
三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管（簡稱P型三極管）和PNP型三極管（簡稱N型三極管）兩種，符號如下：
MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管（簡稱PMOS）和N溝道MOS管（簡稱NMOS），符號如下（此處只討論常用的增強型MOS管）：
2、三極管和MOS管的正確應(yīng)用
（1）P型三極管，適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，P型三極管即可開始導通。
基極用高電平驅(qū)動P型三極管導通（低電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接下拉電阻10-20k到GND，使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，P型三極管能夠更快更可靠地截止。
（2）N型三極管，適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低于射極電壓（此處為VCC）0.7V，N型三極管即可開始導通。
基極用低電平驅(qū)動N型三極管導通（高電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，N型三極管能夠更快更可靠地截止。
所以，如上所述：
對NPN三極管來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R12接在射極和GND之間。
對PNP三極管來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R14接在集電極和VCC之間。
這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。
（3）PMOS，適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低于源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導通。
柵極用低電平驅(qū)動PMOS導通（高電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。
（4）NMOS，適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高于源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導通。
柵極用高電平驅(qū)動NMOS導通（低電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。
MOS管,三極管
所以，如上所述：
對PMOS來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R16接在源極和VCC之間。
對NMOS來說，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設(shè)計是，負載R18接在源極和GND之間。
3、設(shè)計原則
為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應(yīng)接在集電極或漏極。
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